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研究方向：高Al組分AlGaN/AlN基功率電子器件

崗位名稱：博士后研究員（1-2名）

我們的獨特優(yōu)勢：

√III族氮化物MOCVD外延能力

√完善的潔凈室器件工藝和表征平臺

√超寬禁帶半導體方向前沿，大量原創(chuàng)性工作機會

√對博后職業(yè)發(fā)展的全力支持

歡迎以下背景的候選人：

●III族氮化物或寬禁帶半導體相關方向（材料生長、器件工藝、表征測試等）

●功率器件或RF器件方向（GaN、SiC等，希望向超寬禁帶新賽道拓展）

●半導體器件仿真方向（希望結合實驗驗證）

●材料科學相關方向（具有半導體器件工藝和表征經驗者）

招聘標準：

1.具有良好的思想政治素質和品德學風；

2.已取得或即將取得材料科學、微電子、物理、電子工程等相關專業(yè)博士學位，獲得博士學位一般不超過3年；

3.具有很好的半導體物理專業(yè)知識，很強的動手能力，熟練掌握材料生長和測試表征技術，以第一作者發(fā)表過高水平學術論文，具備獨立科研能力和團隊協(xié)作精神；

4.進站后須全職從事博士后研究工作；

5.身體健康，符合北京大學博士后的招收條件。

薪資福利：

1.聘期一般兩年，年薪30-34萬元（稅前，含五險一金），包括基本年薪12-16萬元/年及深圳市在站博士后生活補助18萬元/年）；

2.優(yōu)秀者推薦申請“博雅博士后”等人才項目，待遇按博雅博后標準執(zhí)行；

3.可獲得科研績效獎勵；

4.出站后留深圳工作并與本市企事業(yè)單位簽訂3年以上合同的，可申請深圳市生活資助36萬元；

5.推薦申請中國博士后科學基金面上資助項目、國自然青年基金、廣東省自科基金、聯(lián)合基金、深圳市自科基金等科研項目

6.協(xié)助解決學校宿舍或人才公寓。

申請材料：

請發(fā)送CV、代表性論文和簡要研究興趣說明至pkucom@outlook.com。（郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名+高校人才網）歡迎隨時非正式咨詢，我們樂意先聊聊方向和實驗室情況。【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】

備注：

初選通過后，郵件通知候選人；申請材料恕不退回。

北京大學博士后管理政策：http://postdocs.pku.edu.cn/

在站期間表現(xiàn)優(yōu)秀者可以申請專職研究崗位。

截止時間：

長期有效，招到為止。

更多最新博士后招收資訊請關注：

【高才博士后】網站→https://boshihou.gaoxiaojob.com